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更新時(shí)間：2024-06-18 
瀏覽次數(shù)：1891IGBT模塊是一種高度集成的模塊，將多個(gè)IGBT （絕緣柵雙極晶體管）集成到一個(gè)模塊中。
IGBT是在昭和時(shí)代，結(jié)合了傳統(tǒng)使用的基極電流控制型雙極晶體管和柵極電壓控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET ）的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和工藝，改進(jìn)了它們的缺點(diǎn)而發(fā)明的。日本后期。
最初，它被稱(chēng)為絕緣柵雙極晶體管，后來(lái)被稱(chēng)為IGBT，代表“絕緣柵雙極晶體管"。
雖然現(xiàn)在被稱(chēng)為電力電子技術(shù)，但在當(dāng)時(shí)IGBT是一項(xiàng)尚未見(jiàn)天日，只有專(zhuān)家才能使用。然而，隨著變頻空調(diào)等電器中逆變器（通過(guò)功率轉(zhuǎn)換技術(shù)實(shí)現(xiàn)節(jié)能）的引入，以及更小、更高效模塊的開(kāi)發(fā)，這些產(chǎn)品內(nèi)部存儲(chǔ)的 IGBT 模塊的使用迅速擴(kuò)大，主要在大功率產(chǎn)品已遍布世界各地。
，IGBT 及其模塊通常用于需要大功率的產(chǎn)品中。
對(duì)于IGBT而言，流過(guò)大電流的部分采用了傳統(tǒng)的雙極晶體管結(jié)構(gòu)，而基極部分即雙極控制部分，這是日本創(chuàng)造的劃時(shí)代的功率半導(dǎo)體，改用了FET的柵極電路結(jié)構(gòu)（低損耗）。IGBT 模塊是一種緊湊、功能*的模塊，可存儲(chǔ)多個(gè)此類(lèi)模塊，并包括用于保護(hù)電路的二極管和用于驅(qū)動(dòng)電路的 IC。
IGBT 作為單獨(dú)的組件（分立）存在，并且可以用單個(gè)組件組裝類(lèi)似于模塊的電路。然而，當(dāng)電路由單個(gè)元件組裝而成時(shí)，電路板尺寸通常是模塊尺寸的兩倍以上，并且存在由于電路板圖案布線的影響而可能出現(xiàn)信號(hào)延遲和不穩(wěn)定等故障的擔(dān)憂，并且用戶(hù)面臨著很多挑戰(zhàn)。
另一方面，模塊化可以實(shí)現(xiàn)高密度布線，并通過(guò)改善散熱來(lái)考慮可靠性，使用戶(hù)可以相對(duì)輕松地將IGBT應(yīng)用到自己的產(chǎn)品中。這可以說(shuō)是使用IGBT模塊而不是單個(gè)IGBT的大優(yōu)勢(shì)。
作為 IGBT 模塊的示例，我們將介紹一個(gè)裝有 6 個(gè) IGBT 的模塊，用于驅(qū)動(dòng)主流的無(wú)刷電機(jī)。模塊封裝的特點(diǎn)是填充有絕緣材料，模塊內(nèi)的布線也盡可能保持短而粗，以減少電損耗。
還添加了散熱器，與單獨(dú)安裝在板上相比，使 IGBT 能夠以顯著更低的損耗和更高的散熱量運(yùn)行。因此，與使用單個(gè)項(xiàng)目（離散）相比，通過(guò)模塊化，可以實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高效運(yùn)行和小型化。
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